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[发明专利]液晶显示装置用阵列基板的制造方法-CN201210276332.3有效
发明人：李铉奎;李石;李恩远;郑敬燮;金镇成;田玹守 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在基板上形成栅极；b)在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极/漏极；以及e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中，所述步骤a)包括：在所述基板上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成栅极；所述步骤d)包括：在半导体层上形成铜基金属膜，铜基金属膜和金属氧化物膜的多层膜，或铜基金属膜和钼基金属膜的多层膜；通过蚀刻剂组合物蚀刻所述膜形成源极/漏极。
液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]金属膜制造用组合物、金属膜的制造方法以及金属粉末的制造方法-CN200980142168.3无效
发明人：山川哲;大岛宪昭;川畑贵裕;木下智之;稲生俊雄 -专利权人：东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供能够由高价金属化合物直接制造金属膜的组合物、金属膜的制造方法、以及金属粉末的制造方法。使用铜、银或铟的金属膜制造用组合物形成覆膜，然后进行加热还原，由此制造铜、银或铟的金属膜，所述铜、银或铟的金属膜制造用组合物的特征在于，含有铜、银或铟的高价化合物，直链、支链或环状的碳原子数为1～18的醇类，以及VIII族的金属催化剂。另外，代替铜、银或铟的高价化合物，使用具有包含铜、银或铟的高价化合物的表层的铜、银或铟的金属颗粒，与上述同样地制造铜、银或铟的金属膜。
金属膜制造组合方法以及金属粉末

[发明专利]焊料、接点结构及接点结构的制作方法-CN201310008305.2有效
发明人：高国书;张道智;陈文志 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：焊料包括锌基金属层、铜金属膜与贵金属膜。铜金属膜完全覆盖锌基金属层的表面，而贵金属膜完全包覆铜金属膜。接点结构包括锌基金属层以及介金属层。介金属层由锌与贵金属所组成，且介金属层完全覆盖锌基金属层的表面。
焊料接点结构制作方法

[发明专利]半导体器件制造方法和抛光装置-CN200710004333.1无效
发明人：小寺雅子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜，当在所述衬底表面和所述开口内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜，以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压
半导体器件制造方法抛光装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910141124.0有效
发明人：羽根田雅希;清水纪嘉;大塚信幸;中尾嘉幸;砂山理江;田平贵裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：含有氧的绝缘膜，形成在半导体衬底上；凹部，形成在所述绝缘膜中；难熔金属膜，形成在所述凹部的内壁上；含有铜、锰以及镍的金属膜，形成在所述难熔金属膜上；以及铜膜，形成在所述金属膜上，以填充所述凹部。本发明能够降低锰从金属膜扩散进入填充于凹部中的铜膜，从而能够降低铜膜的阻抗增加。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯转移方法-CN201610622528.1有效
发明人：杨与畅 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯转移方法，其包括以下步骤：在铜上生成石墨烯，形成铜/石墨烯；在石墨烯表面涂覆PMMA，形成铜/石墨烯/PMMA；在PMMA表面镀钛金属膜，形成铜/石墨烯/PMMA/钛金属膜；刻蚀去除铜，形成石墨烯/PMMA/钛金属膜；将石墨烯/PMMA/钛金属膜与目标基底贴合，形成目标基底/石墨烯/PMMA/钛金属膜；去除PMMA/钛金属膜及进行后续处理后，得到目标基底/石墨烯。本发明通过在PMMA表面镀钛金属膜，由于钛金属强度大、硬度大，在去除铜时能保持石墨烯的铺展性，能有效避免石墨烯褶皱、破裂等现象，有利于石墨烯与目标基底贴合；在涂覆PMMA时烘烤温度达到PMMA的玻璃化温度，使得PMMA容易去除、不残留；利用工装夹具将铜/石墨烯/PMMA/钛金属膜的四周固定也能增加其平整性。
一种石墨转移方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310631444.0有效
发明人：神吉刚司 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：设置在绝缘膜的沟槽中的铜互连体；沿绝缘膜与铜互连体之间的边界设置在绝缘膜上的金属膜；设置在沟槽的内壁与铜互连体之间并在金属膜上方延伸的阻挡金属；覆盖铜互连体和位于金属膜上方的阻挡金属的第一金属盖件；以及连续地覆盖第一金属盖件、阻挡金属和金属膜的第二金属盖件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种电路板及其制作方法和应用-CN201711275262.9有效
发明人：陈旺寿 -专利权人：深圳市和美源电子有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：制作方法包括：以玻璃或亚克力作为电路板承载体；在承载体上通过磁控溅射方法依次溅镀第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层；在第三金属膜层上通过蒸镀方法蒸镀第一铜膜层；在第一铜膜层上通过水性电镀法电镀第二铜膜层；其中，第一金属膜层的厚度为10～80nm；第二金属膜层的厚度不小于第一金属膜层的厚度，且在100nm以下；第三金属膜层的厚度不小于第二金属膜层的厚度，且在300nm以下；第一铜膜层的厚度大于第三金属膜层的厚度，且在500nm以下；第二铜膜层的厚度为5～100μm。
一种电路板及其制作方法应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02148123.7有效
发明人：弘长伸夫;竹胁利至;国岛浩之;山本悦章 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在制造该半导体的方法中，在半导体基底(100)的上面或上方形成由含铜金属膜组成的第一布线(22a，34b)。在半导体基底的整个表面上形成第一夹层绝缘膜(18，16)，以覆盖第一布线。选择性地去除第一夹层绝缘膜，以形成到达第一布线的连接孔。形成阻挡金属膜(30)，以覆盖连接孔的内表面，并且随后形成含铜金属膜(32)以填充连接孔。将连接孔外形成的含铜金属膜去除。在半导体基底的整个表面上形成第二夹层绝缘膜(20，14b)，以覆盖在连接孔内形成的含铜金属膜。选择性地去除第二夹层绝缘膜，以形成布线槽，使得在连接孔内形成的含铜金属膜在底部露出。形成阻挡金属膜来覆盖布线槽的内部，并且，随后形成含铜金属膜以填充布线槽。接着，在布线槽外的含铜金属膜被去除，以形成第二布线(34b和22b)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金属复合膜及其制作工艺-CN201811637690.6在审
发明人：朱磊;张石亮 -专利权人：安徽立光电子材料股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属复合膜及其制作工艺，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，ITO膜层沉积在玻璃基板上，ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层本发明的有益效果在于：1）该发明的为双面结构，并可一次成型完成双面ITO及双面复合金属膜的沉积，制作效率高，成品质量好，具有广阔的市场前景；2）金属复合膜包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，可满足金属复合膜的特性，同时具备优异的导电性及抗氧化性；3）ITO膜层采用高温制程，中间增加过渡区间，金属膜采用低温制程。
金属复合膜沉积铜金属膜层玻璃基板金属膜层制作工艺金属膜镍铜制程对称导电性过渡区间抗氧化性双面复合双面结构一次成型制作

[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用-CN201710438196.6有效
发明人：梁承宰;朴升煜;田玹守 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用。上述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，上述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
金属膜蚀刻组合及其应用

[发明专利]复合铜箔、加工方法及锂离子电池-CN202311194092.7在审
发明人：宋文兰 -专利权人：河北海伟电子新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种复合铜箔、加工方法及锂离子电池，所述复合铜箔，包括：基膜，内部设置有金属膜层；铜金属层，位于所述基膜的两侧表面；所述铜金属层与所述金属膜层与之间具有能够导电的通道上述技术方案通过通道连通铜金属层和金属膜层，这样电流流经铜金属层后，还可以传导至金属膜层，相比于传统的“铜‑高分子‑铜”的复合铜箔，增加了铜层厚度减少了整体的电阻值，因而产生的热量随之减少，保证了电池的使用安全以及寿命
复合铜箔加工方法锂离子电池

[发明专利]层叠体及层叠体的制造方法-CN201980046969.3在审
发明人：山田绘美;佐藤诚;都地辉明;藤信男 -专利权人：东丽KP薄膜股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B32B15/082 文献下载
摘要：本发明提供下述层叠体，所述层叠体在氟膜上具有表面平滑且与氟膜的密合力强的金属膜。层叠体，其在氟膜的至少一面具有层叠了1层或2层以上的金属层的金属膜，所述层叠体的特征在于，上述金属膜包含以铜为主成分的层(以下，称为铜层1)作为金属层，在上述氟膜与上述金属膜的界面将金属膜剥离，上述金属膜侧的剥离面的基于X射线光电子能谱法(XPS)分析所检测出的氟原子为50atomic％以上、金属原子为4atomic％以下。
层叠制造方法

[发明专利]金属配线形成方法-CN201210300024.X有效
发明人：李石;李铉奎;李恩远;金镇成;郑敬燮 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对于金属氧化物膜和铜膜的双层膜，使对下部金属氧化物膜的侵蚀最小化，并只蚀刻上部的铜膜的利用蚀刻液组合物形成铜基金属膜的配线的方法及所述铜基金属膜的蚀刻液组合物。
金属线形成方

[发明专利]一种电路板及其防线路氧化的方法和应用-CN202011100157.3有效
发明人：吴贵华;陈旺寿 -专利权人：深圳市顺华智显技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：所述方法包括：以玻璃、陶瓷、PI、PET、PA或亚克力作为电路板承载体；在电路板承载体上通过磁控溅射方法溅镀第一金属膜层；在第一金属膜层上通过酸性电镀方法电镀第二铜膜层；在第二铜膜层上通过酸性电镀法电镀或磁控溅射方法溅镀第三金属膜层；所述第一金属膜层的厚度为10～200nm；所述第二铜膜层的厚度为5～100μm；所述第三金属膜层的厚度为0.5～10μm。所述电路板包括电路板承载体以及自电路板承载体向外依次形成的所述第一金属膜层、所述第二铜膜层和所述第三金属膜层。本发明方法能有效提高电路板的防氧化能力，从而提高电路板的寿命和工作稳定可靠性。
一种电路板及其线路氧化方法应用

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